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氣體管路五項(xiàng)測(cè)試流程介紹

更新時(shí)間:2022-10-19  |  點(diǎn)擊率:8514
氣體管路五項(xiàng)測(cè)試流程介紹

 
     摘要隨著技術(shù)的革新,新版GMP的實(shí)施,潔凈行業(yè)對(duì)潔凈度的要求愈發(fā)嚴(yán)格,對(duì)氣源及氣體管路的檢測(cè)規(guī)格都有了更高的要求。氣體管路的外觀應(yīng)符合大眾審美的要求,管內(nèi)的各項(xiàng)測(cè)試則需通過相關(guān)測(cè)試來進(jìn)行。氣體管路的五項(xiàng)(壓力、氦測(cè)漏、含塵量、水分、氧分)測(cè)試,是目前管道測(cè)試較為先進(jìn)、全面的一種測(cè)試方法。
關(guān)鍵詞氣體管路、保壓、氦檢、particle、水分、氧分
大宗氣體的五項(xiàng)測(cè)試中保壓和He檢漏是針對(duì)安全性而做的測(cè)試,而顆粒度、水分和氧份測(cè)試則是針對(duì)氣體的品質(zhì)性所做的測(cè)試。下表為其測(cè)算標(biāo)準(zhǔn)。

大宗氣體管道測(cè)算標(biāo)準(zhǔn)
gas typeGN2 CDAPN2PO2PHe/PAr
壓力測(cè)試N/AN/AN/AN/AN/A
Helium Leakage TestN/AN/AN/AN/AN/A
O2 ppmN/AN/A≦0.05N/A≦0.05
H2O ppbN/AN/A≦50≦50≦50
particle(pcs/scf)≧0.3μm/≦10≧0.3μm/≦100≧0.1μm/≦1≧0.1μm/≦1≧0.1μm/≦1
測(cè)試用氣GN2CDAPN2PN2PN2

表1 測(cè)算標(biāo)準(zhǔn)
 
    一、保壓測(cè)試(Pressure) 
保壓測(cè)試的目的在于保證管道系統(tǒng)或設(shè)備連接在設(shè)定測(cè)試壓力的條件下沒有泄露點(diǎn)。保壓除了可以檢查管路、接頭是否有泄漏之情形外,還可以利用高于工作壓力之氣體壓力保持在一段封閉管路內(nèi),經(jīng)過一段時(shí)間后,可偵測(cè)出管路焊道上是否有沙孔(沙孔會(huì)因過高的壓力而造成泄漏)以及銜接點(diǎn)是否可承受如此高的壓力而不至泄漏,以確保所有人員的安全。其原理是將待測(cè)管路通入PN2(因?yàn)镻N2相對(duì)廉價(jià)),使其壓力達(dá)到管路正常使用壓力的1.15倍或是7至9公斤之間,在一端接上記錄器,經(jīng)過一段時(shí)間后檢查是否有壓降現(xiàn)象,若無則表示該管路已通過保壓測(cè)試,反之,則檢查壓降之原因,并在原因排除后再做一次保壓測(cè)試,直到*沒有泄漏為止。
     測(cè)試步驟:
1、對(duì)照管路施工圖,核對(duì)管路連接是否正確。
2、將面板入口端的接頭松開,出入口兩端用新的墊片銜接上,并將進(jìn)機(jī)臺(tái)端的接頭蓋上。
3、打開面板閥門及調(diào)節(jié)器。
4、將所有待測(cè)管路Take off端的接頭用測(cè)試的管子串聯(lián)起來,并于一端連接記錄器。
5、沖入測(cè)試介質(zhì)PN2,使管路內(nèi)壓力達(dá)0.7~0.9MPa,并檢查所有壓力表頭是否有壓力。
6、對(duì)所有的接頭用檢漏液作初步的測(cè)漏。若接口無明顯氣泡,壓力未有超出允許范圍之變化,則開始記錄時(shí)間與壓力讀數(shù),持續(xù)24h。

圖片1(1).png


                   圖1-1 圓盤保壓開始                                    圖1-2 圓盤保壓資料
 
壓力測(cè)試結(jié)果會(huì)受溫度的影響,在測(cè)試過程中要注意溫度的變化及對(duì)溫度的紀(jì)錄,如溫度偏差較大,則需要進(jìn)行必要的補(bǔ)償修正計(jì)算。
二、氦測(cè)漏(He Leak Test)
氦測(cè)漏的主要方法有:噴吹法、吸入法、氦罩法和背壓法。在南京熊貓項(xiàng)目,使用的是真空噴氦的方式。He檢漏儀具有操作簡(jiǎn)便、準(zhǔn)確可靠、安全高效、成本較低、用途廣泛等特點(diǎn),而氦氣的分子非常小,僅次于氫氣,可偵測(cè)出非常小的漏點(diǎn)。工藝上對(duì)于純度要求高的氣體一般都需做氦檢,甚至要求氣體管路的漏率在每秒10*e-10CC才可以送氣通常氣體的漏率我們要求在1.0*e-9 cc.atm/sec以上。 

圖2-1 連接管路                    圖2-2 抽吸真空

測(cè)試步驟:
1、將真空泵接好電源,熱機(jī)10min。
2、連上待測(cè)管路,開始抽真空。
3、漏率達(dá)到業(yè)主及廠商要求時(shí),對(duì)測(cè)試管路的焊道及接頭噴吹氦氣。
4、記錄最開始測(cè)試的數(shù)值及結(jié)束時(shí)的數(shù)值,時(shí)刻觀察測(cè)漏機(jī)讀數(shù)的變化。
5、若未引起報(bào)警,示數(shù)在范圍之內(nèi),則表示氦檢合格。測(cè)試結(jié)束后需暖機(jī)10min后切斷電源。
 

  圖2-3 對(duì)接頭噴氦氣                 圖2-4 對(duì)焊縫噴氦氣


 圖2-5 測(cè)試開始數(shù)值                  圖2-6 測(cè)試結(jié)束數(shù)值

對(duì)待測(cè)點(diǎn)噴氦氣的原則是由近而遠(yuǎn),由上而下。噴完氦氣后必須經(jīng)過一段氦測(cè)漏機(jī)的反應(yīng)時(shí)間,待確認(rèn)沒問題后才可開始噴吹下一個(gè)測(cè)試點(diǎn)。氦檢測(cè)試完成后,必須對(duì)工藝管道進(jìn)行充壓,以避免系統(tǒng)負(fù)壓吸入大量不純物。充壓氣體必須為高純氣體,回充壓力應(yīng)參照設(shè)備用氣壓力,常規(guī)回充后壓力宜為7~9公斤,即0.7MPa~0.9 MPa,這時(shí)方可斷開被測(cè)管道。
三、顆粒含量分析(Particle Analyzer)
在半導(dǎo)體的生產(chǎn)中,particle是造成良率不高的原因之一,尤其在現(xiàn)在的制程越來越小的情況下,若管路中含有過多的particle,會(huì)造成晶片的良率大大下降 。 為此,在設(shè)備生產(chǎn)前必須對(duì)管路進(jìn)行particle測(cè)試。
particle測(cè)試的原理是將被測(cè)氣體連接到測(cè)試儀器,如氣流中有顆粒(該顆粒在測(cè)試儀器可以監(jiān)控的范圍內(nèi)),測(cè)試儀器會(huì)通過內(nèi)部產(chǎn)生的激光照射該測(cè)試氣體,再通過內(nèi)部的計(jì)數(shù)裝置進(jìn)行分類計(jì)數(shù),從而得出該取樣氣體的顆粒測(cè)試值。 測(cè)試儀器的測(cè)試規(guī)格值有8個(gè):0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 1.0, 2.0, 3.0, 5.0;單位為um。 
            

圖3-1 particle count 儀                 圖3-2 particle測(cè)試結(jié)果

測(cè)試步驟:

1、先將待測(cè)管路預(yù)吹1小時(shí)以上。
2、將待測(cè)管路銜接至particle count儀進(jìn)氣端。
3、打開電源,預(yù)熱數(shù)分鐘,并將出氣閥門打開。
4、開始測(cè)試,若合格,當(dāng)即將測(cè)試結(jié)果打印出來。
測(cè)試的結(jié)果,要連續(xù)3min內(nèi)都合格,才是有效值。在測(cè)試過程中,如若遇到檢測(cè)數(shù)據(jù)不合格,則當(dāng)次數(shù)據(jù)作廢,重新檢測(cè)一次,直至合格。若排除管路原因,數(shù)據(jù)仍不達(dá)標(biāo),則應(yīng)檢查其氣源是否合格。
 
四、水含量分析(Moisture Analyzer)
H2O和晶片中的Si會(huì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成二氧化硅,影響晶片厚度,因此對(duì)氣體中的水分含量必須加以控制。水分的測(cè)試是利用純度較高的PN2對(duì)待測(cè)管路進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的purge(清除,吹掃),將水氣帶離管路,并在一端接上分析儀器,直至儀器顯示的含水量濃度達(dá)到測(cè)算標(biāo)準(zhǔn)。
測(cè)試步驟:

  1. 預(yù)吹待測(cè)管路,至少4h。(預(yù)吹時(shí)間越長(zhǎng),測(cè)試時(shí)間越短)

  2. 將待測(cè)管路銜接至測(cè)試儀。

  3. 打開電源,開始測(cè)試,直至讀數(shù)下降到50ppb以下。

   

           圖4-1 水分分析儀                    圖4-2 水分測(cè)試終了數(shù)據(jù)

五、氧含量分析(Oxygen Analyzer)
   O2和H2O一樣,也會(huì)和Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成SiO2,從而影響晶片厚度,因此管路中的氧分也必須進(jìn)行檢測(cè)。其原理和測(cè)試步驟與水分檢測(cè)相同,測(cè)算標(biāo)準(zhǔn)為0.05ppm以下。
     

            圖5-1 氧分分析儀                       圖5-2 氧分測(cè)試終了數(shù)據(jù) 

    氧分和水分的檢測(cè)一般同時(shí)進(jìn)行,耗時(shí)一般在8h左右。若氣源及管路非常理想,所耗時(shí)間就有可能會(huì)大大縮短。有時(shí)水分、氧分測(cè)了長(zhǎng)達(dá)24h后,數(shù)據(jù)都降不下來,此時(shí)應(yīng)考慮主管路及氣源的情況,以免長(zhǎng)時(shí)間做無用功。


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